6月11日，第十三屆中國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)與市場(chǎng)年會(huì)（CSPT2015）在西安召開(kāi)，由于在半導(dǎo)體行業(yè)強(qiáng)大的影響力和良好的美譽(yù)度，時(shí)代電氣半導(dǎo)體事業(yè)部副總經(jīng)理劉國(guó)友受邀出席并代表該公司作了《高功率密度IGBT模塊封裝測(cè)試技術(shù)及其發(fā)展趨勢(shì)》的主題演講。

功率半導(dǎo)體IGBT器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一個(gè)分支，代表著目前最熱門最具潛力的發(fā)展方向。本次中國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)與市場(chǎng)年會(huì)（CSPT年會(huì)）由國(guó)家工信部電子信息司、中國(guó)電子學(xué)會(huì)指導(dǎo)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主辦，是國(guó)內(nèi)唯一涵蓋整個(gè)半導(dǎo)體封測(cè)行業(yè)的最有影響力的專業(yè)研討會(huì)。會(huì)議主要關(guān)注國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策走向、國(guó)內(nèi)外封測(cè)市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)與展望、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)調(diào)研報(bào)告、先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)與工藝設(shè)備、先進(jìn)封裝工藝與材料技術(shù)等內(nèi)容。

會(huì)上，劉國(guó)友所作的主題報(bào)告涵蓋IGBT器件概述與應(yīng)用、封測(cè)技術(shù)現(xiàn)狀、高密度先進(jìn)封測(cè)技術(shù)以及下一代技術(shù)發(fā)展規(guī)劃等多個(gè)方面的內(nèi)容，受到了大會(huì)組委會(huì)和與會(huì)專家、學(xué)者的高度認(rèn)可與熱烈響應(yīng)，進(jìn)一步提升了時(shí)代電氣在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的學(xué)術(shù)影響力。